第一六六七章 浸没式光刻机面世(2/4)

，由衷的表示感谢，当年为了赚钱，停薪留职下海，被孙董事长派人请回，担任光源研究所副所长，晋升研究员，担任光源研究所所长，一路走来，事业顺利，但没有想过晋升院士，他和邓院长都明白孙董事长雪藏浸没式光刻机的苦衷，美西方国家一直利用瓦森纳协定对国内高科技企业进行技术封锁和打压。

    BSEC的光刻机技术低GCA一代，要面子的美国人不会打压，但一旦超过GCA，极有可能面临制裁。

    全球光刻机行业被193nm波长的世界性难题挡住近十年，但对BSEC来说就是一个千载难遇的发展机遇，不然很难赶上GCA、Nikon、ASML和Canon。

    如今全球5家光刻机公司GCA、Nikon、ASML、Canon和BSEC虽然都只能生产90nm制程工艺的光刻机，但技术实力还是有很大的差距。

    2001年12月，EUV LLC项目结束，成功解决了EUV光刻机的光学系统（多层膜反射镜）和光源（激光等离子体技术）等核心难题，为GCA后续商业化奠定了技术基础。

    2002年1月，GCA EUC光刻机股份公司成立，注册资本金50亿美元，13.5nm波长的EUV激光器一旦成功，研发成功EUV光刻机只是时间问题，光刻机光源就没有了技术瓶颈，光刻机的发展一马平川，GCA被业界公认一枝独秀。

    Nikon和Canon投入巨资研发157nm激光器，到如今还没有消息。

    2001年6月，ASML投资10亿美元并购SVG后，SVG拥有157nm激光的反折射镜头技术，ASML的技术实力大增，研发157nm激光器的同时，2002年8月，采纳林本坚博士提出的“浸润原理”，投入巨资，同台积电合作，联合开发浸没式光刻机。

    ASML采用两条腿走路。

    ASML拥有全球第二款双工作台系统，技术实力仅次于GCA和Nikon，一旦研发成功134nm波长的浸没式光刻机，技术实力就会超过Nikon。

    虽然浸入式光刻机的构思非常巧妙，但同EUC